無(wú)人機(jī)芯片高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：一、核心國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)及適用性分析標(biāo)準(zhǔn)名稱發(fā)布機(jī)構(gòu)最新版本適用范圍MIL-STD-810H美國(guó)國(guó)防部2019軍用設(shè)備環(huán)境工程程序，適用于高可靠性要求的無(wú)人機(jī)芯片IEC 60068-2-78:2019國(guó)際電工委員會(huì)2019電子元器件冷熱沖擊測(cè)試，適用于民用及工業(yè)級(jí)芯片GB/T 2423.22-2022中國(guó)國(guó)標(biāo)2022國(guó)內(nèi)電子元器
無(wú)人機(jī)芯片高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)人機(jī)芯片高低溫冷熱沖擊試驗(yàn)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：
| 標(biāo)準(zhǔn)名稱 | 發(fā)布機(jī)構(gòu) | 最新版本 | 適用范圍 |
|---|---|---|---|
| MIL-STD-810H | 美國(guó)國(guó)防部 | 2019 | 軍用設(shè)備環(huán)境工程程序，適用于高可靠性要求的無(wú)人機(jī)芯片 |
| IEC 60068-2-78:2019 | 國(guó)際電工委員會(huì) | 2019 | 電子元器件冷熱沖擊測(cè)試，適用于民用及工業(yè)級(jí)芯片 |
| GB/T 2423.22-2022 | 中國(guó)國(guó)標(biāo) | 2022 | 國(guó)內(nèi)電子元器件可靠性測(cè)試，強(qiáng)制性要求適用于國(guó)內(nèi)認(rèn)證產(chǎn)品 |
注：
MIL-STD-810H為軍用標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試條件最嚴(yán)苛，需結(jié)合無(wú)人機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景選擇；
IEC 60068-2-78為國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)，適用于多數(shù)商業(yè)無(wú)人機(jī)芯片；
GB/T 2423.22為國(guó)內(nèi)準(zhǔn)入必要標(biāo)準(zhǔn)，出口產(chǎn)品需額外滿足目標(biāo)市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)。
| 參數(shù) | MIL-STD-810H | IEC 60068-2-78:2019 | GB/T 2423.22-2022 |
|---|---|---|---|
| 溫度范圍 | -55℃~+125℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+125℃ |
| 溫變速率 | ≥10℃/min | ≥5℃/min | ≥5℃/min |
| 循環(huán)次數(shù) | 500次（典型值） | 10次/組（可擴(kuò)展） | 10次/組（可擴(kuò)展） |
| 樣品處理 | 預(yù)處理+功能測(cè)試 | 預(yù)處理+功能測(cè)試 | 預(yù)處理+功能測(cè)試 |
說(shuō)明：
MIL-STD-810H要求更高溫變速率和循環(huán)次數(shù)，模擬極端戰(zhàn)場(chǎng)環(huán)境；
IEC和GB標(biāo)準(zhǔn)更側(cè)重工業(yè)場(chǎng)景，但均需結(jié)合芯片實(shí)際工況調(diào)整參數(shù)。
